（d）中在540nm处，特效胶体的光致发光的衰减行为。

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在正向与反向扫描之间，向假电荷中和点处的电阻峰有ΔVB/dB=0.018Vnm-1的偏移，其中VB为底栅电压，dB为底介质总厚度。图1双层TMD的晶体结构和压电力显微镜图像 ©2022SpringerNatureR-堆叠双层TMD器件的滞回现象用石墨烯作为电传感器也可以检测到R层叠双层TMD的铁电性，姑顾清这不仅可以精确地估计极化，姑顾清而且对于铁电场效应晶体管的概念验证也至关重要。